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2N3791中文资料

  • 大小:131.09KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:Silicon PNP Power Transistors
  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 最大直流电集电极电流:10 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:50
  • 最大工作频率:4 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-3
  • 封装:Sleeve
  • 集电极连续电流:10 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:150 W
  • 工厂包装数量:20

2N3791供应商

更新时间:2023-01-04 02:16:40
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